Un transistor que funciona a 600 °C


Foto: Únicamente referencial
Crédito foto: https://www.pexels.com/es-es/@sejio402/

24 de agosto de 2026

Kioto, Japón — Durante más de dos décadas, el carburo de silicio (SiC) se ha promovido como la clave para desarrollar dispositivos electrónicos para entornos extremos. Sin embargo, a pesar de su potencial, el campo se ha quedado estancado en la etapa de investigación básica, sin haber logrado hasta ahora el desarrollo de dispositivos prácticos. Ahora, un equipo de investigadores de la Universidad de Kioto se ha propuesto cambiar eso.

«Creemos que la falta de avances se debe a que la comunidad investigadora ha estado tratando de aplicar el pensamiento de la era del silicio a un material fundamentalmente diferente», afirma el autor principal, Mitsuaki Kaneko.

El equipo se centró en los transistores de efecto de campo de unión, también conocidos como JFET. Investigaciones anteriores han sugerido que los JFET complementarios, basados en JFET de SiC, pueden aplicarse a circuitos integrados de baja potencia para su funcionamiento en entornos extremos

Leer el artículo completo en:
Universidad de Kioto (Japón)
https://www.kyoto-u.ac.jp/en/research-news/2026-08-24

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